真空处理装置的运转方法
公开
摘要
一种在真空处理装置中依次处理多片晶片的真空处理装置的运转方法，其中，所述真空处理装置具备：多个真空输送容器，其在前后方向上配置，并配置有向内部的输送室输送处理对象的晶片的输送机器人，且相邻的两个连结；锁定室，其与在多个真空输送容器中的配置在最前方的真空输送容器连接，在内部收纳有晶片；以及多个处理单元，其分别与多个真空输送容器连接，并对配置在真空容器的内部的晶片进行处理，多个处理单元分别在经过给定的期间后，实施对内部进行清洁的工序，在开始晶片的处理前，预先从多个处理单元之中设定多个对各个晶片进行处理的处理单元的集合，按照这多个处理单元的集合中所包含的处理单元的数量从大到小的顺序且按照所包含的处理单元离锁定室从远到近的顺序，每次延迟给定的期间，开始晶片的处理。
基本信息
专利标题 ：
真空处理装置的运转方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114568036A
申请号 ：
CN202080008523.4
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2020-09-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
内木大地末光芳郎沼田慎一郎
申请人 ：
株式会社日立高新技术
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
吴秋明
优先权 ：
CN202080008523.4
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/677
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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