用于控制掩模形状并打破选择性与工艺裕度权衡的多态RF脉冲
实质审查的生效
摘要
一种用于在等离子体处理系统中对衬底进行蚀刻处理的方法，该方法包括：将源RF功率和偏置RF功率施加到电极，其中源RF功率和偏置RF功率是一起定义多个多态脉冲RF循环的脉冲信号，每个循环具有第一状态、第二状态和第三状态；其中第一状态由具有第一源RF功率电平的源RF功率和具有第一偏置RF功率电平的偏置RF功率定义；其中第二状态由源RF功率和具有基本上为零的功率电平的偏置RF功率定义；以及其中第三状态由具有小于第一源RF功率电平的第二源RF功率电平的源RF功率，以及具有基本上为零的功率电平的偏置RF功率定义。
基本信息
专利标题 ：
用于控制掩模形状并打破选择性与工艺裕度权衡的多态RF脉冲
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114342049A
申请号 ：
CN202080059513.3
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-08-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
尼基尔·多乐维克拉姆·维拉苏尔·斯瓦米纳坦姜蓓蓓梅雷特·王
申请人 ：
朗姆研究公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
上海胜康律师事务所
代理人 ：
李献忠
优先权 ：
CN202080059513.3
主分类号 ：
H01L21/311
IPC分类号 ：
H01L21/311 H01J37/32 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
H01L21/311
绝缘层的刻蚀
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/311
申请日 : 20200821
申请日 : 20200821
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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