改进的高次谐波生成装置
公开
摘要
一种用于生成高次谐波辐射的高次谐波生成组件和方法。所述组件包括空腔,被配置为接收输入辐射,并且增加所述空腔内的所述输入辐射的所述强度,以形成适合用于高次谐波生成的驱动辐射。所述组件还包括:所述空腔内的相互作用区域,在使用中,所述相互作用区域存在介质,所述介质被配置为当所述驱动辐射被入射到其上时通过高次谐波生成来生成谐波辐射;以及光学组件,被配置为引导所述驱动辐射穿过所述相互作用区域,并且包括输出耦合器,所述输出耦合器包括孔径,通过所述孔径所生成的谐波辐射的至少一部分能够离开所述空腔。所述光学组件还被配置为在所述驱动辐射穿过所述相互作用区域之前将所述驱动辐射整形为会聚的中空束。
基本信息
专利标题 :
改进的高次谐波生成装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114342564A
申请号 :
CN202080062427.8
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2020-09-04
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
A·J·H·薛乐肯D·奥德怀尔林楠G·J·H·布鲁塞尔
申请人 :
ASML荷兰有限公司
申请人地址 :
荷兰维德霍温
代理机构 :
北京市金杜律师事务所
代理人 :
赵林琳
优先权 :
CN202080062427.8
主分类号 :
H05G2/00
IPC分类号 :
H05G2/00
法律状态
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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