激光处理装置及激光监测方法
公开
摘要
本公开提供了一种能够形成高质量半导体膜的激光处理装置和激光处理方法。ELA装置(准分子激光退火装置)(1)包括：激光振荡器(10)，该激光振荡器(10)生成激光，该激光用于通过用激光照射在基材上的待处理的非晶硅膜来形成多晶硅膜；脉冲测量仪器(100)，该脉冲测量仪器(100)用于探测包含在激光中的第一部分光和第二部分光；以及监测装置(60)，该监测装置(60)用于将第一部分光的探测结果与第二部分光的探测结果进行比较。
基本信息
专利标题 ：
激光处理装置及激光监测方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114556531A
申请号 ：
CN202080064099.5
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-06-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
大森贤一郑石焕佐藤亮介太田佑三郎
申请人 ：
JSW阿克迪纳系统有限公司
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
马立荣
优先权 ：
CN202080064099.5
主分类号 ：
H01L21/268
IPC分类号 ：
H01L21/268 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26
用波或粒子辐射轰击的
H01L21/263
带有高能辐射的
H01L21/268
应用电磁辐射的，例如激光辐射
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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