激光热处理装置和处理方法
授权
摘要
本发明提供了一种激光热处理装置，包括：激光器、光源调整模块、工件台模块和工件旋转模块，所述工件旋转模块安装在所述工件台模块上，所述激光器发出的光经所述光源调整模块调整后形成光斑，所述工件台模块带动工件接收所述光斑，所述工件旋转模块配置为带动所述工件旋转以使所述光斑照射区域覆盖所述工件的待处理区域。本发明还提供了一种激光热处理装置和处理方法,通过工件旋转模块带动工件旋转实现对工件的激光热处理，产率将直接和工件台转速，以及旋转的圈数直接相关，提升了热处理效率。
基本信息
专利标题 ：
激光热处理装置和处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109935532A
申请号 ：
CN201711352251.6
公开（公告）日 ：
2019-06-25
申请日 ：
2017-12-15
授权号 ：
CN109935532B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
周炯李志丹张俊
申请人 ：
上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张东路1525号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
屈蘅
优先权 ：
CN201711352251.6
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 C30B33/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2019-07-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20171215
申请日 : 20171215
2019-06-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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