低缺陷高电容薄固态电解质电容器及其制造方法
公开
摘要
提出了一种制造电容器的方法。该方法包括：在基板上方形成三维结构，该三维结构包括具有从远离基板的三维结构的顶表面朝向基板延伸的细长孔或离开基板朝向远离基板的三维结构的顶表面延伸的细长柱的区域；在三维结构的所述区域的表面上方形成第一电极层，第一电极与所述区域的所述表面共形；在第一电极层上方形成中间层；以及在中间层上方形成第二电极层，第二电极层与中间层共形，其中，形成中间层包括：形成与第一电极层部分地共形的固态电解质层；以及形成与第一电极层共形的电介质层。
基本信息
专利标题 ：
低缺陷高电容薄固态电解质电容器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114556507A
申请号 ：
CN202080065251.1
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-09-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
瓦朗坦·萨拉弗雷德里克·瓦龙萨米·乌卡西
申请人 ：
株式会社村田制作所;原子能与替代能源委员会
申请人地址 ：
日本京都府
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
杜诚
优先权 ：
CN202080065251.1
主分类号 ：
H01G11/86
IPC分类号 ：
H01G11/86 H01G11/84 H01G11/56 H01G11/50 H01G11/46 H01G11/30
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01G
电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件
H01G11/00
混合电容器，即具有不同正极和负极的电容器；双电层电容器；其制造方法或其零部件的制造方法
H01G11/84
混合电容器或双电层电容器，或其部件的制造工艺
H01G11/86
特别适用于电极
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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