伪模态抑制型射频谐振器结构

授权

摘要

本发明公开了一种伪模态抑制型射频谐振器结构。包括下电极层、压电层、上电极层、凹陷上电极层、凸起压电层、凹陷压电层。其中，凹陷上电极层位于交叠区域处；凸起压电层位于外部区域处，且比有效区域高；凹陷压电层位于外部区域处，位于所述凸起压电层之间。本发明申请通过调整凹陷上电极层、凸起压电层、凹陷压电层的深度、宽度和位置关系，能够使谐振器满足谐振频率关系为：f_外部区域＜f_有效区域＜f_交叠区域，进而可以有效抑制阻抗曲线上的伪模态和高阶模态，提高谐振器的机电耦合系数和品质因子，进而提升谐振器的整体性能。

基本信息

专利标题：

伪模态抑制型射频谐振器结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112821878A

申请号：

CN202110012423.5

公开（公告）日：

2021-05-18

申请日：

2021-01-06

授权号：

CN112821878B

授权日：

2022-06-14

发明人：

孙成亮周杰邹杨刘炎林炳辉徐沁文谷曦宇罗天成高超

申请人：

武汉大学

申请人地址：

湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学

代理机构：

武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

肖明洲

优先权：

CN202110012423.5

主分类号：

H03H9/02

IPC分类号：

H03H9/02 H03H9/17