一种基于多层硅基光栅的太赫兹波幅度调制器及制备方法
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摘要

本发明公开了一种基于多层硅基光栅的太赫兹波幅度调制器及制备方法,属于信息技术中的人工电磁材料领域。包括:第一亚波长光栅、第二亚波长光栅、线圈、磁体和MEMS弹簧;所述第一亚波长光栅和第二亚波长光栅位于上下两层且相互平行,键合构成双层光栅;所述线圈置于第二亚波长光栅上,所述MEMS弹簧与第二亚波长光栅相连;所述线圈通电时,在所述磁体的作用下带动第二亚波长光栅相对于第一亚波长光栅发生位移,位移方向与所述双层光栅平行。本发明仅基于多层硅基光栅,无其他复杂结构,具有易于设计、低成本、操作简单等特点,而且普适性强,无频率依赖性,具有很好的可扩展性,能够被推广至太赫兹以外的其他电磁波频段。

基本信息
专利标题 :
一种基于多层硅基光栅的太赫兹波幅度调制器及制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112904550A
申请号 :
CN202110132723.7
公开(公告)日 :
2021-06-04
申请日 :
2021-01-29
授权号 :
CN112904550B
授权日 :
2022-04-22
发明人 :
胡方靖伍文杰田纪遨刘骅锋涂良成
申请人 :
华中科技大学
申请人地址 :
湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
代理机构 :
华中科技大学专利中心
代理人 :
祝丹晴
优先权 :
CN202110132723.7
主分类号 :
G02B26/02
IPC分类号 :
G02B26/02  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B26/00
利用可移动的或可变形的光学元件控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的光学器件或装置,例如,开关、选通或调制
G02B26/02
控制光的强度
法律状态
2022-04-22 :
授权
2021-06-22 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G02B 26/02
申请日 : 20210129
2021-06-04 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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