一种太赫兹器件及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种太赫兹器件及其制备方法，具体为Mie共振耦合增强亚波长孔光学透射的太赫兹器件及其制备方法。本发明通过在亚波长金属孔阵列两侧放置同样大小的硅块，相当于接收以及传输的天线谐振耦合器，硅块与金属孔之间以及谐振器与谐振器之间的相互作用可以更有效的捕获太赫兹能量，提高内部电磁场来进一步增强光电转换效率。
基本信息
专利标题 ：
一种太赫兹器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114355487A
申请号 ：
CN202111462225.5
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
时彦朋宋金梅史胜男李美坪刘笑宇
申请人 ：
山东大学
申请人地址 ：
山东省济南市高新区舜华路1500号
代理机构 ：
济南圣达知识产权代理有限公司
代理人 ：
张晓鹏
优先权 ：
CN202111462225.5
主分类号 ：
G02B1/00
IPC分类号 ：
G02B1/00 H01Q15/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B1/00
按制造材料区分的光学元件；用于光学元件的光学涂层
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G02B 1/00
申请日 : 20211202
申请日 : 20211202
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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