使用电子电路镀层工艺的IME结构及其制造方法
公开
摘要
本发明提供一种IME结构及其制造方法，IME(模内电子)结构包括形成设计的薄膜、位于薄膜的下部的第一塑料树脂和位于第一塑料树脂的下部的第二塑料树脂，在第二塑料树脂的上面或两面通过镀层工艺形成电子电路，并安装电子元件，从而使得薄膜、第一塑料树脂、形成有电路及电子元件的第二塑料树脂形成为一体化。
基本信息
专利标题 ：
使用电子电路镀层工艺的IME结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114630493A
申请号 ：
CN202110191368.0
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-02-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
洪兑容安俊永
申请人 ：
因塔思株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道安养市
代理机构 ：
北京冠和权律师事务所
代理人 ：
朱健
优先权 ：
CN202110191368.0
主分类号 ：
H05K1/18
IPC分类号 ：
H05K1/18 H05K3/00 H05K3/32 H05K3/34 B29D7/01
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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