一种大功率混沌半导体激光发生装置
授权
摘要
本发明一种大功率混沌半导体激光发生装置及其发生方法，属于大功率混沌半导体激光发生装置技术领域；所要解决的技术问题为：提供一种大功率混沌半导体激光发生装置结构的改进；解决该技术问题采用的技术方案为：包括用于产生大功率激光的相干阵列激光发生器，所述相干阵列激光发生器的内部设置有激光发生芯片，还包括用于对相干阵列激光发生器发射激光束的垂直发散角进行压缩的柱面透镜、用于将相干阵列激光发生器所发射激光束的旁瓣光束反射回相干阵列激光发生器内部的球面反射镜，所述相干阵列激光发生器中的激光发生芯片接收到反射光束后，相干阵列激光发生器工作处于混沌状态；本发明应用于大功率混沌半导体激光发生装置。
基本信息
专利标题 ：
一种大功率混沌半导体激光发生装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112909727A
申请号 ：
CN202110194728.2
公开（公告）日 ：
2021-06-04
申请日 ：
2021-02-21
授权号 ：
CN112909727B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
张建国冯尚可贾志伟王冰洁徐航王安帮
申请人 ：
太原理工大学
申请人地址 ：
山西省太原市迎泽西大街79号
代理机构 ：
太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
邓东东
优先权 ：
CN202110194728.2
主分类号 ：
H01S5/00
IPC分类号 ：
H01S5/00 H01S5/042 G01S7/484
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2021-06-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/00
申请日 : 20210221
申请日 : 20210221
2021-06-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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