用激光束照射半导体层的激光加工装置
发明专利申请公布后的驳回
摘要
一种用激光束照射半导体层的激光加工装置,其特征在于,它包括:一个激光器,用于发射具有截面的激光束扩展器件,用于只在截面的长度方向扩展激光束,其中激光束在长度方向的光强分布同时为所述扩展器件所均匀化,所述扩展器件至少有一个柱面透镜阵列和一个只在长度方向会聚激光束的凸透镜;支撑器件,用于支撑用扩展过的激光束处理的衬底;移动器件,用于在扩展过的激光束截面的宽度方向移动所述衬底。
基本信息
专利标题 ：
用激光束照射半导体层的激光加工装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1350322A
申请号 ：
CN01104514.0
公开（公告）日 ：
2002-05-22
申请日 ：
1993-06-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
山崎舜平张宏勇石原浩朗
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
叶恺东
优先权 ：
CN01104514.0
主分类号 ：
H01L21/324
IPC分类号 ：
H01L21/324 G02F1/00 G02F1/35
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/324
用于改善半导体材料性能的热处理，例如退火、烧结
法律状态
2009-01-28 ：
发明专利申请公布后的驳回
2002-05-22 ：
公开
2002-03-20 ：
实质审查的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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