一种二维复合胶体晶体光子器件的制备方法
授权
摘要
本申请公开了一种二维复合胶体晶体光子器件的制备方法，该方法涉及光电子技术及材料制备，分为微流注射法制备单层膜及反应离子刻蚀两部分；首先利用微流注射法制备六角密排的单层膜；通过缓慢竖直提升事先放置烧杯中衬底的办法，将单层胶体晶体转移到玻璃基片上，获得周期性微纳结构；然后通过应离子刻蚀使得微球粒径减小，微球间隙增大；同样利用微流注射法制备第二种材料的密排单层膜；最后用离子刻蚀处理过的玻璃基片作衬底，制备成功二维复合光子晶体；由白光源、1×2光纤耦合器、光谱仪组成测量系统，光源垂直入射到二维复合光子晶体表面，测得其反射光谱图，通过刻蚀工艺控制粒子间的匹配关系和形成的二维复合胶体晶体的结构的占空比。
基本信息
专利标题 ：
一种二维复合胶体晶体光子器件的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113089102A
申请号 ：
CN202110230880.1
公开（公告）日 ：
2021-07-09
申请日 ：
2021-03-02
授权号 ：
CN113089102B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
郝辉李梅闫海涛邓亚利夏巍郭冬梅王鸣
申请人 ：
南京师范大学
申请人地址 ：
江苏省南京市鼓楼区宁海路122号
代理机构 ：
南京经纬专利商标代理有限公司
代理人 ：
钱超
优先权 ：
CN202110230880.1
主分类号 ：
C30B29/58
IPC分类号 ：
C30B29/58 C30B29/64 C30B33/12 C30B5/00 G02B1/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/54
有机化合物
C30B29/58
高分子化合物
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2021-07-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/58
申请日 : 20210302
申请日 : 20210302
2021-07-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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