一种多孔碳化硅陶瓷膜及其制备方法

授权

摘要

本发明涉及无机陶瓷膜技术领域，特别涉及一种多孔碳化硅陶瓷膜及其制备方法。在所述多孔碳化硅陶瓷膜的制备方法中，具体包括：向一碳膜表面加入含有碳化物的催化剂溶液，向该碳膜表面加入含有单质硅的硅源，通过将上述材料在惰性环境下进行高温煅烧，使得硅源中的硅融化并在碳膜表面流淌，在所述碳化物催化剂的作用下，促使在所述碳膜表面形成多孔碳化硅孔洞，最后冷却获得多孔碳化硅陶瓷膜。

基本信息

专利标题：

一种多孔碳化硅陶瓷膜及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112876254A

申请号：

CN202110259980.7

公开（公告）日：

2021-06-01

申请日：

2021-03-10

授权号：

CN112876254B

授权日：

2022-04-01

发明人：

于春辉魏飞张晨曦朱畅

申请人：

清华大学

申请人地址：

北京市海淀区100084-82信箱

代理机构：

北京康盛知识产权代理有限公司

代理人：

董娣

优先权：

CN202110259980.7

主分类号：

C04B35/565

IPC分类号：

C04B35/565 C04B35/622 C04B35/63