一种碳化硅陶瓷及其制备方法
公开
摘要
本发明涉及碳化硅陶瓷技术领域，本发明提供了一种碳化硅陶瓷及其制备方法。该碳化硅陶瓷制备方法包括准备原料、生坯制备、反应烧结和二次烧结除硅步骤，本发明通过先进行反应烧结，提高了坯体中碳化硅的含量；然后通过将坯体埋入碳粉中进行二次烧结除硅，碳化硅中的硅蒸发，迁移到碳化硅外部碳中，从而使得碳化硅中的自由硅得以消除，最终获得高纯、一定气孔率的碳化硅陶瓷，此种工艺相比传统重结晶碳化硅制备工艺烧结温度要低很多，而且所制备出的碳化硅陶瓷孔隙率低，强度高，耐高温性能更好。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅陶瓷及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114591085A
申请号 ：
CN202210057356.3
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-01-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
谢方民熊礼俊沈赟于明亮张碧盈邬国平洪于喆戚明杰杨连江方友祥徐斌郭岱东王坚
申请人 ：
宁波伏尔肯科技股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市鄞州区潘火街道金源路666号
代理机构 ：
宁波甬致专利代理有限公司
代理人 ：
张密密
优先权 ：
CN202210057356.3
主分类号 ：
C04B35/565
IPC分类号 ：
C04B35/565 C04B35/622 C04B35/64
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C04
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B
石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
C04B35/00
以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
C04B35/515
以非氧化物为基料的
C04B35/56
以碳化物为基料的
C04B35/565
以碳化硅为基料的
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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