导电结构电性缺陷分析方法、电性参数分析方法及系统
授权
摘要
本公开提供一种导电结构电性参数分析方法、导电结构电性缺陷分析方法及导电结构电性参数分析系统，涉及半导体技术领域。该分析方法包括：根据预设的图形化工艺步骤形成间隔排布的线形导电结构，导电结构由多个线形前序图形结构形成，各前序图形结构分别对应不同的图形化工艺；获取任一前序图形结构的图案化参数；根据图案化参数计算导电结构的电阻变化值及电容变化值；根据电阻变化值和电容变化值计算前序图形结构的图案化参数对导电结构的导电速率变化值。本公开的分析方法可为后续进行工艺改进提供数据支持。
基本信息
专利标题 ：
导电结构电性缺陷分析方法、电性参数分析方法及系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113109647A
申请号 ：
CN202110383142.0
公开（公告）日 ：
2021-07-13
申请日 ：
2021-04-09
授权号 ：
CN113109647B
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
金若兰洪玟基
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
王辉
优先权 ：
CN202110383142.0
主分类号 ：
G01R31/00
IPC分类号 ：
G01R31/00 G01R27/02 G01R27/26
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/00
电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置；在制造过程中测试或测量半导体或固体器件入H01L21/66；线路传输系统的测试入H04B3/46）
法律状态
2022-04-29 ：
授权
2021-07-30 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/00
申请日 : 20210409
申请日 : 20210409
2021-07-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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