基于超颖表面产生实空间与K空间艾里光束阵列的方法
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摘要

本发明公开的基于超颖表面产生实空间与K空间艾里光束阵列的方法,属于微纳光学领域。本发明采用仿真方法对纳米天线进行模拟计算,通过调整纳米柱阵列的尺寸与方位角分布,即实现对出射艾里光束的传播距离、传播轨迹进行精确有效调控,挑选得到满足超颖表面组成需求的纳米天线。确定纳米柱单元几何尺寸后,根据产生实空间与K空间艾里光束阵列的相位分布算法,得到覆盖0到2π相位纳米柱阵列的尺寸与方位角分布,即确定每个纳米柱单元的尺寸与旋转角度,编码生成相应介质超颖表面结构的加工文件。利用加工文件,采用微纳加工工艺加工宽带介质超颖表面,当入射不同的圆偏振光束,得到在实空间与K空间的艾里光束阵列,显著提高器件并行工作效率。

基本信息
专利标题 :
基于超颖表面产生实空间与K空间艾里光束阵列的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113193349A
申请号 :
CN202110453828.2
公开(公告)日 :
2021-07-30
申请日 :
2021-04-26
授权号 :
CN113193349B
授权日 :
2022-04-05
发明人 :
黄玲玲雷石伟王涌天李晓伟
申请人 :
北京理工大学
申请人地址 :
北京市海淀区中关村南大街5号
代理机构 :
北京正阳理工知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
邬晓楠
优先权 :
CN202110453828.2
主分类号 :
H01Q1/38
IPC分类号 :
H01Q1/38  H01Q21/00  
法律状态
2022-04-05 :
授权
2021-08-17 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01Q 1/38
申请日 : 20210426
2021-07-30 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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