一种混合型CMOS-忆阻全加器电路
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摘要
本发明公开了一种混合型CMOS‑忆阻全加器电路，包括第一阈值型忆阻器M1、第二阈值型忆阻器M2、第三阈值型忆阻器M3，第一NMOS晶体管NM1、第二NMOS晶体管NM2、第三NMOS晶体管NM3、第四NMOS晶体管NM4、第五NMOS晶体管NM5、第六NMOS晶体管NM6、第七NMOS晶体管NM7、第八NMOS晶体管NM8，第一PMOS晶体管PM1、第二PMOS晶体管PM2、第三PMOS晶体管PM3、第四PMOS晶体管PM4、第五PMOS晶体管PM5。该电路通过调节忆阻器阻态、CMOS管的导通和截止来实现全加运算的功能，电路结构简单，对忆阻数字逻辑电路的研究具有重大意义。
基本信息
专利标题 ：
一种混合型CMOS-忆阻全加器电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113285705A
申请号 ：
CN202110456022.9
公开（公告）日 ：
2021-08-20
申请日 ：
2021-04-26
授权号 ：
CN113285705B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
林弥王旭亮陈俊杰韩琪罗文瑶
申请人 ：
杭州电子科技大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市下沙高教园区二号路
代理机构 ：
浙江永鼎律师事务所
代理人 ：
陆永强
优先权 ：
CN202110456022.9
主分类号 ：
H03K19/017
IPC分类号 ：
H03K19/017
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2021-09-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03K 19/017
申请日 : 20210426
申请日 : 20210426
2021-08-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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