高密度三维纵向存储器
实质审查的生效
摘要
高密度三维纵向存储器(3D‑MV)包括低掺杂段3D‑MV和非圆孔型3D‑MV。低掺杂段3D‑MV不利用横向空间(指沿存储孔的半径方向)、而是利用纵向空间(指沿存储孔的深度方向)来保证存储元的正常读/写操作。非圆孔型3D‑MV含有多个非圆存储孔，非圆存储孔的横截面含有至少两对相交的平行边线，每对平行边线通过DUV光刻单次曝光形成、且最小间距小于50纳米。
基本信息
专利标题 ：
高密度三维纵向存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551451A
申请号 ：
CN202110574892.6
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-05-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张国飙
申请人 ：
南方科技大学
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
崔熠
优先权 ：
CN202110574892.6
主分类号 ：
H01L27/112
IPC分类号 ：
H01L27/112 H01L27/22 H01L27/24
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/112
申请日 : 20210526
申请日 : 20210526
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
