高密度动态随机存取存储器的槽式电容的制造方法
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
动态单晶体管读/写存储单元采用槽式电容器，以增加电荷存储量。槽蚀刻在与N+位线相似的扩散N+电容器层的硅片表面上，然后在位线和电容器层上生长一层厚的氧化膜，而不是在槽中；在达到最大槽深的最终蚀刻之前，利用在部分蚀刻之后随之再生长一层氧化膜的方法来减小掏蚀的影响。电容器的阳极扩展到槽中，并在硅小片的整个表面上构成场极电极隔层的一层多晶硅。难熔金属字线在多晶硅场极电极中的窗口上构成存取晶体管的栅。
基本信息
专利标题 ：
高密度动态随机存取存储器的槽式电容的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85103830A
申请号 ：
CN85103830.1
公开（公告）日 ：
1986-11-05
申请日 ：
1985-05-11
授权号 ：
CN1005668B
授权日 ：
1989-11-01
发明人 ：
戴维·A·巴格利罗纳德·帕克
申请人 ：
得克萨斯仪器公司
申请人地址 ：
美国得克萨斯州
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
萧掬昌
优先权 ：
CN85103830.1
主分类号 ：
H01L27/10
IPC分类号 ：
H01L27/10 H01L29/78 H01L21/04 G11C11/24
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
法律状态
2001-01-03 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1990-08-22 ：
授权
1989-11-01 ：
审定
1986-11-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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