本发明公开了一种FinFET高密度新型存储器及其制备方法，所述存储器由衬底层上的多个存储单元组成，其中每一个存储单元包括：电流写入层和两个结构相同的磁性隧道结；所述磁性隧道结分别包括按顺序排列的自由层、势垒层、人工反铁磁耦合层、覆盖层，且所述两个磁性隧道结分别位于电流写入层的两侧形成对称结构；所述人工反铁磁耦合层包括固定层、反铁磁耦合层、钉扎层。通过本发明制备的存储器，利用两个对称的磁性隧道结自旋霍尔角相反实现差分存储，在一条电流写入层上可以形成多个结存储单元，提高了存储密度；存储单元为差分结构，减少源线、字线、位线的使用，提高集成度；本发明的制备方法只需要一次沉积刻蚀工艺，方法简单易行。