一种原子尺度精度调控硒化锗单晶原子层厚度的方法
授权
摘要
本发明公开了一种原子尺度精度调控硒化锗单晶原子层厚度的方法，即金表面辅助剥离少层或单层GeSe，然后金表面诱导少层GeSe退化调控层数的方法。这种方法的特点是：1.通过金薄膜辅助获得大面积的少层或者单层GeSe薄片，依托于现有的GeSe单晶制备或CVT法GeSe薄膜制备，其产率接近于GeSe制备工艺水平；2.通过控制退化时间来精确调控需要的GeSe层数，对剩下的少层或单层GeSe无结构性破坏；3.调控获得的GeSe样品同样可通过刻蚀衬底然后转移，实现进一步的器件应用。通过这种方法可以精确获得所需的GeSe原子层厚度，克服了传统减薄方法的随机性和原子层厚度不均匀性，方便后续的器件应用。
基本信息
专利标题 ：
一种原子尺度精度调控硒化锗单晶原子层厚度的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113652744A
申请号 ：
CN202110916531.5
公开（公告）日 ：
2021-11-16
申请日 ：
2021-08-11
授权号 ：
CN113652744B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
万能陈若望束俊鹏施辉王明渊田明张思源
申请人 ：
东南大学
申请人地址 ：
江苏省南京市江宁区东南大学路2号
代理机构 ：
南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
沈廉
优先权 ：
CN202110916531.5
主分类号 ：
C30B25/16
IPC分类号 ：
C30B25/16 C30B25/18 C30B29/46 C30B23/00 B82B3/00 B82Y40/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/16
控制或调节
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2021-12-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 25/16
申请日 : 20210811
申请日 : 20210811
2021-11-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
