单晶硅片碱抛光用添加剂及其应用

授权

摘要

本发明公开了一种单晶硅片碱抛光用添加剂，其各组分的质量百分含量为：抛光成分0.01%～1%，分散剂1%～3%，防沉剂1%～5%，保护剂0.05%～0.1%，余量为去离子水。在单晶硅片碱抛光的抛光液中添加本发明的添加剂，可使硅片的背抛面具有高平整度、低比表面积，无线痕，外观呈镜面效果，反射率高，最终电池效率提升0.03%～0.05%，满足PERC电池对抛光的需求。

基本信息

专利标题：

单晶硅片碱抛光用添加剂及其应用

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113668067A

申请号：

CN202110953886.1

公开（公告）日：

2021-11-19

申请日：

2021-08-19

授权号：

CN113668067B

授权日：

2022-05-17

发明人：

杨勇章圆圆陈培良

申请人：

常州时创能源股份有限公司

申请人地址：

江苏省常州市溧阳市溧城镇吴潭渡路8号

代理机构：

代理人：

优先权：

CN202110953886.1

主分类号：

C30B33/10

IPC分类号：

C30B33/10 C30B29/06 C09G1/04

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C30

晶体生长

C30B

单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置

C30B33/00

单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理

C30B33/08

侵蚀

C30B33/10

在溶液或熔体内

法律状态

2022-05-17 ：

授权

2021-12-07 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : C30B 33/10
申请日 : 20210819

2021-11-19 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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