集成组合件
实质审查的生效
摘要

本申请涉及集成组合件。一些实施例包含具有一组真实数字线和一组互补数字线的集成组合件。所述互补数字线中的每一个与所述真实数字线中的相关联的一个相对耦合。半导体衬底在所述真实数字线下方。所述半导体衬底包含从半导体基底向上突出且沿着第一方向延伸的半导体特征。所述半导体特征中的每一个具有相对的侧壁。第一源极/漏极区在所述半导体特征内,且第二源极/漏极区在所述半导体基底内。所述真实数字线与所述第一源极/漏极区耦合。字线沿着所述相对的侧壁且包含以选通方式将所述第一源极/漏极区与所述第二源极/漏极区耦合的选通区。存储元件与所述第二源极/漏极区耦合。在一些实施例中,存储器可利用4F2布局。

基本信息
专利标题 :
集成组合件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114446958A
申请号 :
CN202111041557.6
公开(公告)日 :
2022-05-06
申请日 :
2021-09-07
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
A·P·埃皮希
申请人 :
美光科技公司
申请人地址 :
美国爱达荷州
代理机构 :
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 :
彭晓文
优先权 :
CN202111041557.6
主分类号 :
H01L27/108
IPC分类号 :
H01L27/108  H01L21/8242  G11C7/06  G11C8/14  G11C11/401  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-05-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20210907
2022-05-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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