集成组合件及形成集成组合件的方法
实质审查的生效
摘要
本申请案涉及集成组合件及形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种集成组合件，其包含基底结构。所述基底结构包含沿第一方向延伸的一系列导电结构。所述导电结构具有沿所述第一方向与凹入区交替的台阶。半导体材料的支柱在所述台阶上方。所述半导体材料包含选自周期表的第13族的至少一种元素结合选自周期表的第16族的至少一种元素。在一些应用中，所述半导体材料可为半导体氧化物。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
基本信息
专利标题 ：
集成组合件及形成集成组合件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388506A
申请号 ：
CN202111141970.X
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-09-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
S·E·西利士李宜芳K·J·特雷克
申请人 ：
美光科技公司
申请人地址 ：
美国爱达荷州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
彭晓文
优先权 ：
CN202111141970.X
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242 H01L23/544
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20210928
申请日 : 20210928
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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