NAND闪存中物理块的控制方法、装置及SSD设备
授权
摘要
本发明实施例提供了一种NAND闪存中物理块的控制方法、装置及SSD设备，所述方法包括：获取NAND闪存中失效位数大于预设限制阈值的目标物理块的当前存储模式；选取与所述当前存储模式匹配的目标存储模式，所述目标存储模式为存储位数比当前存储模式降低一位的储存模式；将所述目标物理块的存储模式转换为所述目标存储模式。本发明实施例提出的NAND闪存中物理块的控制方法、装置及SSD设备，能够将NAND闪存中的失效位数大于预设限制阈值的物理块逐级转换成存储容量相对较小但寿命更长的存储模式使用，从而减少坏块数，提高NAND闪存的使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
NAND闪存中物理块的控制方法、装置及SSD设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113918091A
申请号 ：
CN202111069970.3
公开（公告）日 ：
2022-01-11
申请日 ：
2021-09-13
授权号 ：
CN113918091B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
刘刚刘晓健王嵩刘兴斌胡靖予张易
申请人 ：
北京得瑞领新科技有限公司
申请人地址 ：
北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园·北领地B-6号楼A座9层A905室
代理机构 ：
北京慧智兴达知识产权代理有限公司
代理人 ：
李丽颖
优先权 ：
CN202111069970.3
主分类号 ：
G06F3/06
IPC分类号 ：
G06F3/06
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F3/048
基于图形用户界面的交互技术
G06F3/06
来自记录载体的数字输入，或者到记录载体上去的数字输出
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2022-01-28 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 3/06
申请日 : 20210913
申请日 : 20210913
2022-01-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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