闪存的控制方法、装置、存储介质和电子设备
实质审查的生效
摘要

本申请实施例公开了一种闪存的控制方法、装置、存储介质、电子设备,涉及存储控制领域。本申请在接收到待写入的目标数据时,根据预设的遍历粒度在第一存储空间中遍历数值等于0的比特位的数量,在数量小于闪存的最大写入次数时,根据数量确定存储单元的起始地址,然后将目标数据写入到确定的存储单元中,以及修改第一存储空间中当前写入次数对应的比特位的数值修改为0,相对比现有技术本申请在写入目标数据之前可以减少遍历未写数据单元的次数,减少遍历的时间和提高写入的效率。

基本信息
专利标题 :
闪存的控制方法、装置、存储介质和电子设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114527934A
申请号 :
CN202210033332.4
公开(公告)日 :
2022-05-24
申请日 :
2022-01-12
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
李德森黄立伟李应浪施奕洲
申请人 :
珠海泰芯半导体有限公司
申请人地址 :
广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园2栋3-4层
代理机构 :
广东朗乾律师事务所
代理人 :
杨焕军
优先权 :
CN202210033332.4
主分类号 :
G06F3/06
IPC分类号 :
G06F3/06  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算;推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F3/048
基于图形用户界面的交互技术
G06F3/06
来自记录载体的数字输入,或者到记录载体上去的数字输出
法律状态
2022-06-10 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 3/06
申请日 : 20220112
2022-05-24 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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