机器学习硬件加速器
公开
摘要
本申请公开机器学习硬件加速器。在存储器设备中，静态随机存取存储器(SRAM)电路包括按行和列排列并配置为存储数据的SRAM单元阵列[401、403]。SRAM阵列[401、403]被配置为：在SRAM阵列[401、403]中的查找表中存储用于机器学习(ML)过程的第一组信息；以及从查找表沿着SRAM单元的行连续地访问来自选择的SRAM单元组的信息。存储器控制器电路被配置为基于用于ML过程的第二组信息来选择SRAM单元组。
基本信息
专利标题 ：
机器学习硬件加速器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267391A
申请号 ：
CN202111149473.4
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
M·M·梅赫达尔V·J·梅内泽斯
申请人 ：
德克萨斯仪器股份有限公司
申请人地址 ：
美国德克萨斯州
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
李英
优先权 ：
CN202111149473.4
主分类号 ：
G11C11/413
IPC分类号 ：
G11C11/413 G06N3/063 G06N20/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/41
用正反馈形成单元的，即，不需要刷新或电荷再生的单元。例如，双稳态多谐振荡器或施密特触发器
G11C11/413
辅助电路，例如，用于寻址的、译码的、驱动的、写入的、读出的、定时的或省电的
法律状态
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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