高电压去耦电容器和集成方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及高电压去耦电容器和集成方法。提供了一种电容器。该电容器包括位于衬底中的第一隔离区中的第一导电层和位于第一隔离区上方的多个电介质层。该多个电介质层可以包括层间电介质(ILD)层和金属间电介质(IMD)层。第一导电层为电容器的底板。第二导电层布置在多个电介质层上方，其中第二导电层是电容器的顶板并且与第一导电层至少部分地重叠。
基本信息
专利标题 ：
高电压去耦电容器和集成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530436A
申请号 ：
CN202111149924.4
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2021-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
文凤雄具正谋
申请人 ：
格芯新加坡私人有限公司
申请人地址 ：
新加坡新加坡市
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
贺月娇
优先权 ：
CN202111149924.4
主分类号 ：
H01L23/64
IPC分类号 ：
H01L23/64 H01L23/522 H01L29/06 H01L21/762 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/64
阻抗装置
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/64
申请日 : 20210929
申请日 : 20210929
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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