一种基于场重构的基片集成波导差分天线增益提升方法
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摘要

本发明涉及一种基于场重构的基片集成波导差分天线增益提升方法,包括将方形基片集成波导进行切割得到半模基片集成波导、四分之一模基片集成波导和八分之一模基片集成波导,分析分割后的腔体内是否具有奇对称电场分布的模式以实现差模传输和共模抑制;对满足奇对称电场分布要求的半模基片集成波导和四分之一模基片集成波导进行电场分布重构,使得重构后的小型化基片集成波导腔体两条磁壁辐射电场矢量平行于辐射体的分量同相叠加,进而提高天线的增益。本发明通过分析小型化基片集成波导腔体TE201模式时的差模空间辐射电场分布,在不改变腔体谐振频率的前提下,改变辐射边界位置,使得两个辐射电场矢量最大限度地叠加,从而增大差分天线增益。

基本信息
专利标题 :
一种基于场重构的基片集成波导差分天线增益提升方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114024132A
申请号 :
CN202111301551.8
公开(公告)日 :
2022-02-08
申请日 :
2021-11-04
授权号 :
CN114024132B
授权日 :
2022-05-31
发明人 :
陈爱新付学东张哲孙铭宇关勐
申请人 :
北京航空航天大学
申请人地址 :
北京市海淀区学院路37号
代理机构 :
成都巾帼知识产权代理有限公司
代理人 :
邢伟
优先权 :
CN202111301551.8
主分类号 :
H01Q1/36
IPC分类号 :
H01Q1/36  
法律状态
2022-05-31 :
授权
2022-02-25 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01Q 1/36
申请日 : 20211104
2022-02-08 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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