一种基于半模基片集成波导的高共模抑制比差分天线

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摘要

本发明涉及一种基于半模基片集成波导的高共模抑制比差分天线，它包括从上到下依次设置的上层介质板、金属地板和下层介质板；在所述上层介质板的上表面设置有重构半模基片集成波导组件，其构成天线的辐射体，通过组合两个重构半模基片集成波导构成组件，增大天线的辐射增益和均匀性；所述下层介质板的下表面设置有方形基片集成波导并通过共面波导馈电；在所述金属地板上刻蚀有四个耦合馈电孔，用于将信号从方形基片集成波导腔体耦合到重构半模基片集成波导组件。本发明采用腔体耦合馈电方式，避免了馈电网络交叉点的出现，提高了天线性能；共模抑制比较高，通过耦合腔体和辐射体实现双阶共模抑制，并通过引入微扰进一步提高了共模抑制。

基本信息

专利标题：

一种基于半模基片集成波导的高共模抑制比差分天线

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114024136A

申请号：

CN202111301552.2

公开（公告）日：

2022-02-08

申请日：

2021-11-04

授权号：

CN114024136B

授权日：

2022-05-31

发明人：

陈爱新付学东张哲孙铭宇秦葭湄

申请人：

北京航空航天大学

申请人地址：

北京市海淀区学院路37号

代理机构：

成都巾帼知识产权代理有限公司

代理人：

邢伟

优先权：

CN202111301552.2

主分类号：

H01Q1/38

IPC分类号：

H01Q1/38 H01Q1/48 H01Q1/50