一种半模基片集成波导双带滤波器
专利权的终止
摘要
本实用新型公开了一种互补开口谐振环和U槽结构的半模基片集成波导双带滤波器。其关键在于：所述的双带滤波器包含介质基片，介质基片上有顶层金属层、底层接地金属层、开路支线结构，顶层金属层刻蚀互补开口谐振环、U槽和电容谐振器结构，底层接地金属贴片刻蚀互补开口谐振环和U槽构成缺陷地结构，缺陷地结构与开路支线中心位于一条直线，顶层金属贴片通过一排金属化通孔穿过介质基片与底层接地金属贴片相连，渐变阻抗匹配单元，输入、出微带馈电线。本用新型以互补开口谐振环和U槽结构产生通带，引入电容谐振器结构增强3dB带宽，利用开路支线与缺陷地结构的传输特性及耦合产生通带，两个通带相互独立，两者级联增强通带的选择性。
基本信息
专利标题 ：
一种半模基片集成波导双带滤波器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020757572.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-10
授权号 ：
CN212257633U
授权日 ：
2020-12-29
发明人 ：
张中华夏铭熊荆
申请人 ：
重庆安全技术职业学院
申请人地址 ：
重庆市万州区百安坝安庆路583号（重庆安全技术职业学院）
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020757572.5
主分类号 ：
H01P1/20
IPC分类号 ：
H01P1/20
法律状态
2022-04-15 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01P 1/20
申请日 : 20200510
授权公告日 : 20201229
终止日期 : 20210510
申请日 : 20200510
授权公告日 : 20201229
终止日期 : 20210510
2020-12-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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