一种新型基片集成波导滤波器
授权
摘要
本实用新型公开了一种新型基片集成波导滤波器，包括金属屏蔽腔体和侧壁,所述侧壁通过应用数控加工中心铣刀横向移动形成，同时所述侧壁为金属化侧壁，该金属化侧壁包括一层介质基片，该介质基片采用陶瓷材料制成，在介质基片上开设有矩形通槽，该矩形通槽的加工是应用高精度激光打孔设备实现的，另外在介质基片的上表面还设置有一层金属，该金属层呈矩形且该金属化过程利用溅射工艺完成。本实用新型结构简单，使用方便，相较于打孔形成的侧壁具有更小的微波能量泄漏，同时滤波器插损更低，此外因数控中心铣刀连续横向移动形成基片集成波导侧壁的方式较打孔方式省去了每次打孔的提刀、下刀时间，因此具有更高的生产效率，利于大批量生产加工。
基本信息
专利标题 ：
一种新型基片集成波导滤波器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021977492.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-11
授权号 ：
CN213278340U
授权日 ：
2021-05-25
发明人 ：
王司亮
申请人 ：
四川欣科奥电子科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市成华区龙潭工业园成宏路26号汇润国际11楼
代理机构 ：
成都为知盾专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
李汉强
优先权 ：
CN202021977492.7
主分类号 ：
H01P1/207
IPC分类号 ：
H01P1/207 H01P1/20
法律状态
2021-05-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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