一种基于空气隙的抗辐照加固结构及其制备方法

实质审查的生效

摘要

本发明公开一种基于空气隙的抗辐照加固结构及其制备方法，属于半导体器件制备及抗辐照加固领域，包括SOI衬底、空气隙结构、隔离结构、沟道区、绝缘介质层、栅极、侧墙结构和源漏电极。空气隙结构位于SOI衬底的埋氧层中；隔离结构位于SOI衬底上；沟道区位于SOI衬底上且被隔离结构隔离；绝缘介质层位于沟道区上；栅极位于绝缘介质层上；侧墙结构位于栅极和绝缘介质层的两侧；源漏电极在SOI衬底上且位于沟道区的两侧，栅极和绝缘介质层通过侧墙结构与源漏电极隔离。本发明通过引入空气隙代替器件沟道下方的埋氧层，免疫辐照造成的埋氧层空穴积累；去掉埋氧层免疫了衬底的背栅作用，隔绝寄生通道的形成，有效的降低漏电流。

基本信息

专利标题：

一种基于空气隙的抗辐照加固结构及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114267665A

申请号：

CN202111436262.9

公开（公告）日：

2022-04-01

申请日：

2021-11-29

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

赵晓松顾祥吴建伟张庆东纪旭明李金航宋帅赵鹏程

申请人：

中国电子科技集团公司第五十八研究所

申请人地址：

江苏省无锡市滨湖区惠河路5号

代理机构：

无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

叶昕

优先权：

CN202111436262.9

主分类号：

H01L23/552

IPC分类号：

H01L23/552 H01L29/06 H01L29/78 H01L21/336

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/552

防辐射保护装置，例如光

法律状态

2022-04-19 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 23/552
申请日 : 20211129

2022-04-01 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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