一种抗电子辐照的MOSFET加固封装结构
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种抗电子辐照的MOSFET加固封装结构，属于电子电力器件技术领域，具体包括：第一抗辐照导电片、第二抗辐照导电片和缓冲导电片；第一抗辐照导电片和第二抗辐照导电片覆盖MOSFET芯片；且第一抗辐照导电片和第二抗辐照导电片均为高Z材料；第一抗辐照导电片的一端通过缓冲导电片与MOSFET芯片上方的源极连接；第二抗辐照导电片的一端与MOSFET芯片下方的漏极连接；第一抗辐照导电片用于抵挡MOSFET芯片上方的电子辐照；第二抗辐照导电片用于抵挡MOSFET芯片下方的电子辐照。本发明实现了抗辐照性能、体积、重量乃至成本的折中。
基本信息
专利标题 ：
一种抗电子辐照的MOSFET加固封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334886A
申请号 ：
CN202111575963.0
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
梁琳尚海
申请人 ：
华中科技大学
申请人地址 ：
湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
代理机构 ：
武汉华之喻知识产权代理有限公司
代理人 ：
李君
优先权 ：
CN202111575963.0
主分类号 ：
H01L23/495
IPC分类号 ：
H01L23/495 H01L23/552
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/495
申请日 : 20211221
申请日 : 20211221
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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