离子生成装置以及离子迁移率分析装置
公开
摘要
提供一种能够使用电子发射元件生成正离子的离子生成装置。本发明的离子生成装置具备：电子发射元件、对置电极以及控制部，所述电子发射元件包括：下部电极；表面电极；以及配置于所述下部电极与所述表面电极之间的中间层，所述对置电极以与所述表面电极相对的方式配置，所述控制部设置成：对所述表面电极、所述下部电极或者所述对置电极施加电压，使得在生成正离子的正离子模式下，所述表面电极的电位高于所述下部电极的电位以及所述对置电极的电位。
基本信息
专利标题 ：
离子生成装置以及离子迁移率分析装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114624327A
申请号 ：
CN202111439750.5
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
鸿丸翔平久轩佳彦新川幸治岩松正
申请人 ：
夏普株式会社
申请人地址 ：
日本国大阪府堺市堺区匠町1番地
代理机构 ：
深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司
代理人 ：
郝家欢
优先权 ：
CN202111439750.5
主分类号 ：
G01N27/622
IPC分类号 ：
G01N27/622 G01N27/68
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/622
离子迁移光谱测定法
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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