中子辐照环境下反常氚渗透分析方法、系统、终端及介质
公开
摘要
本发明公开了中子辐照环境下反常氚渗透分析方法、系统、终端及介质，核聚变反应堆和核裂变反应堆技术领域，其技术方案要点是：将中子辐照环境下的反常氚渗透行为涉及的多个复杂物理过程进行分解，分别建立理论分析模型，充分考虑中子辐照环境下中子与氚核发生碰撞形成的反冲氚、以及氚衰变成3He后与中子发生(n,p)反应形成子核氚对粒子输运行为的影响，分别建立了3H‑3He输运方程和3H‑3He扩散方程，实现对反常氚渗透过程的数值模拟。本发明有利于中子辐照条件下反常氚渗透物理机制的诊断和分析，可应用于聚变能源堆氚增殖模块的优化设计、以及中子辐照条件下的防氚渗透涂层研发。
基本信息
专利标题 ：
中子辐照环境下反常氚渗透分析方法、系统、终端及介质
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114611267A
申请号 ：
CN202111468535.8
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2021-12-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨俊云柴晓明王金雨李庆李兰夏榜样邓理邻黄博琛
申请人 ：
中国核动力研究设计院
申请人地址 ：
四川省成都市双流区长顺大道一段328号
代理机构 ：
成都行之专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
梁田
优先权 ：
CN202111468535.8
主分类号 ：
G06F30/20
IPC分类号 ：
G06F30/20 G06F111/10 G06F119/08
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/20
设计优化、验证或模拟
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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