具有凹槽的载板的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提出了一种具有凹槽的载板的制备方法，包括：S100，采用激光切割方法，在载板上表面的预设区域内进行切割，形成多根立柱；S200，采用蚀刻液对预设区域内的多根立柱进行蚀刻，至多根立柱被蚀刻掉预设量，采用揭开剥离工艺使多根立柱从载板分离，以在预设区域处形成凹槽。根据本发明的具有凹槽的载板的制备方法，先采用激光工业在载板的预设区域加工形成多根立柱，然后采用蚀刻液对多根立柱进行蚀刻，再结合揭开剥离工艺将立柱从载板脱离，完成载板的凹槽制备。该方法操作简单、加工效率高，且可以方便地实现薄壁凹槽的加工制备。
基本信息
专利标题 ：
具有凹槽的载板的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267595A
申请号 ：
CN202111468646.9
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-12-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
严立巍符德荣李景贤
申请人 ：
绍兴同芯成集成电路有限公司
申请人地址 ：
浙江省绍兴市越城区银桥路326号1幢1楼113室
代理机构 ：
工业和信息化部电子专利中心
代理人 ：
华枫
优先权 ：
CN202111468646.9
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/48
申请日 : 20211203
申请日 : 20211203
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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