石墨烯/等离子激元黑硅近红外探测器结构及其制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种石墨烯/等离子激元黑硅近红外探测器结构及其制备方法，此结构包括n型硅片，所述硅片的正面中部设有等离子激元黑硅，所述硅片的正面周侧设置有二氧化硅层，所述二氧化硅层上设有正面电极，所述等离子激元黑硅上设有石墨烯层，所述石墨烯层的周侧延伸并与所述正面电极接触；所述硅片的背面有背电极。本发明能够显著改善光电性能，拓宽响应光谱范围，增强响应度。
基本信息
专利标题 ：
石墨烯/等离子激元黑硅近红外探测器结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300551A
申请号 ：
CN202111471024.1
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
宋轶佶蓝镇立何峰丁玎曾庆平
申请人 ：
中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请人地址 ：
湖南省长沙市天心区新开铺路1025号
代理机构 ：
湖南兆弘专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
廖元宝
优先权 ：
CN202111471024.1
主分类号 ：
H01L31/0232
IPC分类号 ：
H01L31/0232 H01L31/109 H01L31/18 G02B5/00
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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