基于表面等离子体激元增强吸收的铟镓砷雪崩光电探测器
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种基于表面等离子体激元的铟镓砷雪崩光电探测器，包括包括InP衬底和由下至上依次形成在InP衬底上的第一InP过渡层、第一InP接触层、InP倍增层、InP电荷层、nGaAsP能带过渡层、InGaAs光吸收层、第二InP过渡层、第二InP接触层，第二InP接触层上形成正电极和金属二维孔阵列结构，第一InP接触层上形成负电极。本发明金属二维孔阵列结构可以使得表面等离子体激元与入射光耦合，增强光吸收，由于表面等离子体激元的局域性在亚波长范围，因此设计铟镓砷雪崩光电探测器的结构时接触层和吸收区要薄，使得耦合光可以局域在吸收区附近，从而增强光吸收。
基本信息
专利标题 ：
基于表面等离子体激元增强吸收的铟镓砷雪崩光电探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551630A
申请号 ：
CN202111619663.8
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-12-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈庆敏谢修敏覃文治蒋若梅徐强黄帅
申请人 ：
西南技术物理研究所
申请人地址 ：
四川省成都市武侯区人民南路四段七号
代理机构 ：
中国兵器工业集团公司专利中心
代理人 ：
刘二格
优先权 ：
CN202111619663.8
主分类号 ：
H01L31/107
IPC分类号 ：
H01L31/107 H01L31/0304 H01L31/0352
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/107
申请日 : 20211227
申请日 : 20211227
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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