一种等离激元增强的MoSe2光电探...
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种等离激元增强的MoSe2光电探测器及其制备方法和应用，所述等离激元增强的MoSe2光电探测器自下而上依次包括衬底、金属反射层、绝缘介质层、金属纳米粒子薄膜、MoSe2二维材料层和电极。本发明所述等离激元增强的MoSe2光电探测器的金属反射层、绝缘介质层以及金属纳米粒子薄膜构成法布里‑珀罗(F‑P)谐振腔，可使受激辐射的光波在其谐振腔体内维持来回振荡，提高光能密度，从而提高光电探测器的光吸收能力，具有广泛的应用前景。
基本信息
专利标题 ：
一种等离激元增强的MoSe2光电探测器及其制备方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551613A
申请号 ：
CN202210109308.4
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴子峤董华锋薛建材文敏儒吴福根
申请人 ：
广东工业大学
申请人地址 ：
广东省广州市越秀区东风东路729号
代理机构 ：
广州粤高专利商标代理有限公司
代理人 ：
陈嘉毅
优先权 ：
CN202210109308.4
主分类号 ：
H01L31/0232
IPC分类号 ：
H01L31/0232 H01L31/032 H01L31/09 H01L31/18
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0232
申请日 : 20220128
申请日 : 20220128
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
