黑硅等离激元辅助吸收的热电堆芯片及其制作方法
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摘要

本发明公开了一种黑硅等离激元辅助吸收的热电堆芯片,包括硅衬底,所述硅衬底上设有支撑层,所述硅衬底的中部设有空气腔,所述支撑层上设有热电偶,所述热电偶的两端各设有一个电极压焊点;所述热端区域覆盖有吸收层;所述吸收层包括黑硅微纳结构和金属纳米颗粒,所述金属纳米颗粒生长在黑硅微纳结构上形成黑硅等离激元,所述黑硅等离激元的表面设有保护钝化层。本发明中,采用黑硅微纳结构和金属等离激元作为热电堆吸收层,吸收率高、吸收光谱范围宽、响应速度快、通用性好;金属等离激元为不连续金属纳米颗粒,提高了光热转化效率,热电堆灵敏度高;材料易于获取,对工艺平台要求低。

基本信息
专利标题 :
黑硅等离激元辅助吸收的热电堆芯片及其制作方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112577612A
申请号 :
CN202011425411.7
公开(公告)日 :
2021-03-30
申请日 :
2020-12-09
授权号 :
CN112577612B
授权日 :
2022-04-08
发明人 :
黄建雷仁方李睿智袁安波吴雪飞朱继鑫
申请人 :
中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请人地址 :
重庆市南岸区南坪花园路14号
代理机构 :
重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
崔雷
优先权 :
CN202011425411.7
主分类号 :
G01J5/12
IPC分类号 :
G01J5/12  H01L35/12  H01L35/32  H01L35/34  B81C1/00  B81B7/02  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01J
红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分,偏振、相位或脉冲特性的测量;比色法;辐射高温测定法
G01J5/00
辐射高温测定法
G01J5/10
用电辐射检测器
G01J5/12
用热电元件,例如热电偶
法律状态
2022-04-08 :
授权
2021-04-16 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01J 5/12
申请日 : 20201209
2021-03-30 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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