基于黑硅和量子点的Si-APD光电探测器
授权
摘要
本实用新型公开了一种基于黑硅和量子点的Si‑APD光电探测器,所述Si‑APD光电探测器包括本征Si衬底(1)、位于本征Si衬底(1)中心上方的P区(2)、位于本征Si衬底(1)两侧上方保护环区即N区(3)、位于P区(2)上方的N+区(4)、位于N+区(4)上方的N+黑硅层(5)。本实用新型以覆盖了量子点的黑硅层作为光敏层，利用其高的红外吸收特性，解决了传统Si‑APD光电探测器无法响应近红外波段或者近红外响应度低等问题；本实用新型能够吸收近红外波段光波，具有光谱响应宽，响应度高，过噪声小，成本低，易于加工等优点。
基本信息
专利标题 ：
基于黑硅和量子点的Si-APD光电探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921166813.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-24
授权号 ：
CN210692551U
授权日 ：
2020-06-05
发明人 ：
陆文强张昆付勰康帅冯双龙
申请人 ：
中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请人地址 ：
重庆市北碚区方正大道266号
代理机构 ：
北京申翔知识产权代理有限公司
代理人 ：
艾晶
优先权 ：
CN201921166813.2
主分类号 ：
H01L31/0236
IPC分类号 ：
H01L31/0236 H01L31/0288 H01L31/032 H01L31/0352 H01L31/107 H01L31/18
法律状态
2020-06-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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