一种基于基片集成波导的毫米波端射宽带圆极化双环阵列
实质审查的生效
摘要
本发明属于天线技术领域，具体涉及一种基于基片集成波导的毫米波端射宽带圆极化双环阵列；该双环阵列包括：上层金属面、介质基板、下层金属面以及开环辐射单元组，介质基板设置在上层金属面和下层金属面之间；在上层金属面上设置有金属面开槽；开环辐射单元组通过锥形平行双线分别与上层金属面和下层金属面连接；在毫米波端射宽带圆极化双环阵列上设置有第一金属化过孔和第二金属化过孔；将上层金属面、介质基板和下层金属面从右向左依次划分为GCPW结构、GCPW‑SIW结构和SIW结构；本发明为单层介质板结构，加工难度简单，成本低；对比现有技术，在结构简单的基础上保持了宽3dB轴比带宽和高增益，具有良好的经济效益。
基本信息
专利标题 ：
一种基于基片集成波导的毫米波端射宽带圆极化双环阵列
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267940A
申请号 ：
CN202111472995.8
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王柯张长虹邵羽雒江涛
申请人 ：
重庆邮电大学
申请人地址 ：
重庆市南岸区南山街道崇文路2号
代理机构 ：
重庆辉腾律师事务所
代理人 ：
卢胜斌
优先权 ：
CN202111472995.8
主分类号 ：
H01Q1/50
IPC分类号 ：
H01Q1/50 H01Q1/38 H01Q1/36
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01Q 1/50
申请日 : 20211202
申请日 : 20211202
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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