一种半导体器件故障检测方法及相关设备
实质审查的生效
摘要
本发明涉及半导体检测领域，尤其涉及一种半导体器件故障检测方法及相关设备。其中，该方法包括：获取参考信号通过待测半导体器件后的反馈信号；根据所述反馈信号和所述参考信号确定所述待测半导体器件的电路反射系数；确定所述电路反射系数与目标电路反射系数之间的第一差值；如果所述第一差值大于第一阈值，则确定所述待测半导体器件已故障。本发明实施例中，通过测量计算出待测半导体器件的电路反射系数，并与正常半导体器件的目标电路反射系数进行比较，从而确定待测半导体器件是否为故障器件，从而可以在无须拆解半导体器件以及特定检测设备的情况下，采用在线测试的方式快速便捷的对半导体器件进行检测。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体器件故障检测方法及相关设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114355133A
申请号 ：
CN202111478391.4
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-12-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
肖经朱新锋黄青春李志文张俊宇文迪黄前龙
申请人 ：
桂林电子科技大学
申请人地址 ：
广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号
代理机构 ：
北京汇思诚业知识产权代理有限公司
代理人 ：
苏胜
优先权 ：
CN202111478391.4
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/26
申请日 : 20211206
申请日 : 20211206
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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