本发明提供一种基于GIS盖板的三明治加速度计制备方法，包括上盖板、下盖板和中间层敏感结构，上盖板包括硅‑玻璃，下盖板包括硅‑玻璃，该方法包括以下步骤：在上下盖板硅晶片上光刻腐蚀出多个单元图形，与玻璃片进行键合，通过回流、研磨、抛光等工序实现GIS结构；结构硅晶片双面光刻湿法腐蚀出结构图形；将结构硅晶片中的结构图形、上下盖板硅晶片中与结构硅中结构图形对应的单元图形在设定气压、设定温度的键合设备内进行键合。本发明继承经典硅‑玻璃‑硅‑玻璃‑硅五层结构低寄生电容优势，同时实现了表面电极制备，使用基于与硅热膨胀系数更为接近的SD‑2玻璃和Ti金属电极，制造出寄生电容小、低应力的敏感芯片，同时实现晶圆级批量化性能测试。