太阳能晶硅电池红外超快激光刻槽方法和系统
公开
摘要
本发明提供一种太阳能晶硅电池红外超快激光刻槽方法和系统，所述方法包括步骤：上料、激光刻槽和下料；所述激光器为能够在高重复频率下发射高能量单脉冲且单脉冲能量一致性高的红外超快激光器，所述高重复频率为100KHz‑1MHz之间的一定值，所述高能量单脉冲能量为10uJ‑100uJ，所述单脉冲能量一致性为≤±5％。本发明的刻槽方法是通过高单脉冲能量的超快激光汽化材料加工面来实现刻槽，几乎没有热影响区出现，刻槽线宽可小于10um。
基本信息
专利标题 ：
太阳能晶硅电池红外超快激光刻槽方法和系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114273791A
申请号 ：
CN202111550719.9
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
北京赢圣科技有限公司
申请人地址 ：
北京市海淀区高梁桥斜街28号7号楼109
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202111550719.9
主分类号 ：
B23K26/364
IPC分类号 ：
B23K26/364 B23K26/0622 B23K26/70
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B23
机床；其他类目中不包括的金属加工
B23K
钎焊或脱焊；焊接；用钎焊或焊接方法包覆或镀敷；局部加热切割，如火焰切割；用激光束加工
B23K26/00
用激光束加工，例如焊接、切割、或打孔
B23K26/36
除掉材料
B23K26/362
激光刻蚀
B23K26/364
用于制造槽或沟的，例如刻出一个断开的起始槽
法律状态
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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