太阳能电池片的镀膜工艺
实质审查的生效
摘要
一种太阳能电池片的镀膜工艺，属于太阳能电池技术领域。太阳能电池片的镀膜工艺包括：在预设温度范围内对具有减反射膜的硅片进行补镀，预设温度范围为450‑500℃，补镀的步骤包括：采用射频放电的方式激发补镀气体产生等离子体沉积在硅片的减反射膜表面形成氮化硅；沉积包括第一次沉积和第二次沉积，第一次沉积的射频放电的功率为12500～13200W，压强为1600～1700mtorr，时间为65～75s；第二次沉积的射频放电的功率为13000～14000W，压强为1700～1800mtorr，时间为20～30s。其能够减少太阳能电池的边缘绕镀的情况。
基本信息
专利标题 ：
太阳能电池片的镀膜工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284368A
申请号 ：
CN202111550738.1
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘冰刘泽文
申请人 ：
通合新能源（金堂）有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市金堂县淮口镇金乐路东段888号
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
王丽莎
优先权 ：
CN202111550738.1
主分类号 ：
H01L31/0216
IPC分类号 ：
H01L31/0216 H01L31/06 H01L31/18
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0216
申请日 : 20211217
申请日 : 20211217
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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