本发明提供一种氮化硅‑碳化硅多孔陶瓷吸波材料，所述氮化硅‑碳化硅多孔陶瓷吸波材料包括Si₃N₄基体透波相和SiC吸波相，所述氮化硅‑碳化硅多孔陶瓷吸波材料的制备原料包括硅源和催化剂；在所述氮化硅‑碳化硅多孔陶瓷吸波材料中，所述Si₃N₄基体透波相的含量为50‑70wt％。本发明还提供了一种如上所述的氮化硅‑碳化硅多孔陶瓷吸波材料的制备方法。本发明提供的一种氮化硅‑碳化硅多孔陶瓷吸波材料及其制备方法，加入的造孔剂降低了电磁波在材料表面的反射，使更多的电磁波能进入材料内部而被吸收衰减，加入的催化剂增强了Si₃N₄‑SiC多孔陶瓷界面极化损耗，进一步提升了电磁波吸收性能。