一种基于氧化钒薄膜的管状测辐射热计及其制备方法
公开
摘要

本发明属于光电探测技术领域,具体为一种基于氧化钒薄膜的管状测辐射热计及其制备方法。本发明管状测辐射热计包括:使用磁控溅射在带有热氧化硅的高阻硅片上生长的具有内应力梯度氧化钒薄膜;在图形化之后的氧化钒薄膜上制备的电极;带有电极的氧化钒薄膜为管状结构。当红外光照射在管状氧化钒薄膜上时,入射光辐射功率在氧化钒薄膜内转化为热,使得氧化钒薄膜的电阻减小,由外加在电极上的恒定电压读出光谱信号。该器件可在室温条件下实现灵敏的广角、宽光谱探测。本发明可作为传统薄膜测辐射热计的有力补充,且工艺流程简单、成本低,将在非制冷红外焦平面的发展与应用中具有较强的实际意义。

基本信息
专利标题 :
一种基于氧化钒薄膜的管状测辐射热计及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114295222A
申请号 :
CN202111562323.6
公开(公告)日 :
2022-04-08
申请日 :
2021-12-18
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
梅永丰吴斌民张子煜
申请人 :
复旦大学
申请人地址 :
上海市杨浦区邯郸路220号
代理机构 :
上海正旦专利代理有限公司
代理人 :
陆飞
优先权 :
CN202111562323.6
主分类号 :
G01J5/20
IPC分类号 :
G01J5/20  G01J5/22  G01J5/02  H01L31/0224  H01L31/112  H01L31/18  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01J
红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分,偏振、相位或脉冲特性的测量;比色法;辐射高温测定法
G01J5/00
辐射高温测定法
G01J5/10
用电辐射检测器
G01J5/20
用对辐射敏感的电阻器,热敏电阻器或半导体
法律状态
2022-04-08 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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